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硫化氢气体吸附对氧化钨纳米线电学性能调控研究

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硫化氢气体吸附对氧化钨纳米线电学性能调控研究
论文目录
 
摘要第1-6页
ABSTRACT第6-10页
第一章 绪论第10-18页
  1.1 引言第10-11页
  1.2 WO_3的忆阻特性第11-15页
    1.2.1 忆阻器的结构第11-12页
    1.2.2 忆阻器的阻变机制第12-15页
    1.2.3 WO_3忆阻现象的研究现状第15页
  1.3 WO_3纳米线的气体吸附第15-16页
    1.3.1 传感器技术第15页
    1.3.2 气敏传感器第15-16页
    1.3.3 WO_3材料的气体吸附第16页
  1.4 本文的研究意义及研究内容第16-18页
第二章 WO_3纳米线的制备以及表征第18-24页
  2.0 引言第18页
  2.1 WO_3的结构与性质第18-19页
  2.2 WO_3一维纳米材料的制备第19-20页
  2.3 WO_3形貌和结构的表征第20-22页
    2.3.1 WO_3纳米线的XRD分析第20-21页
    2.3.2 WO_3纳米线的SEM分析第21-22页
  2.4 本章小结第22-24页
第三章 WO_3纳米线电输运性能的研究第24-34页
  3.1 背景第24页
  3.2 构筑WO_3纳米器件第24-26页
  3.3 测试系统第26-27页
  3.4 双端欧姆接触的WO_3纳米线器件的电学性能第27-28页
  3.5 WO_3纳米线器件的忆阻性第28-31页
  3.6 本章小结第31-34页
第四章 硫化氢对WO_3纳米线电输运性能的影响第34-45页
  4.1 背景第34页
  4.2 WO_3的气敏机理第34-35页
  4.3 WO_3在H_2S中的电输运性质第35-39页
    4.3.1 H_2S对WO_3纳米线的忆阻性能的影响第36-38页
    4.3.2 水吸附对WO_3忆阻效应的影响第38-39页
  4.4 忆阻器效应量的控制第39-40页
  4.5 忆阻效应的反转第40-44页
  4.6 本章小结第44-45页
第五章 总结和展望第45-47页
参考文献第47-56页
附录:攻读硕士学位期间论文完成情况第56-57页
致谢第57页

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